研究目的
研究采用高结晶度单壁碳纳米管作为场发射体的电气设备的稳定性和可靠性。
研究成果
成功实现了高结晶度单壁碳纳米管作为电子发射源的应用,从而获得了一种低功耗的平面发光器件。高结晶度单壁碳纳米管是一种能显著改善场致发射特性的电子元件。通过湿法工艺组装的高结晶度单壁碳纳米管阴极薄膜,有望作为场致发射电子源实现节能效果。
研究不足
分散的高结晶度单壁碳纳米管(SWCNTs)的结晶度会随着反复研磨和操作压力的升高而降低。这可能是由于原子结合能和内聚能随单壁碳纳米管高级结构的不同而存在差异所致。
研究目的
研究采用高结晶度单壁碳纳米管作为场发射体的电气设备的稳定性和可靠性。
研究成果
成功实现了高结晶度单壁碳纳米管作为电子发射源的应用,从而获得了一种低功耗的平面发光器件。高结晶度单壁碳纳米管是一种能显著改善场致发射特性的电子元件。通过湿法工艺组装的高结晶度单壁碳纳米管阴极薄膜,有望作为场致发射电子源实现节能效果。
研究不足
分散的高结晶度单壁碳纳米管(SWCNTs)的结晶度会随着反复研磨和操作压力的升高而降低。这可能是由于原子结合能和内聚能随单壁碳纳米管高级结构的不同而存在差异所致。
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