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脉冲激光沉积纳米级CeNi5薄膜的介电性能

DOI：10.1134/S0036024419130296 期刊：Russian Journal of Physical Chemistry A 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 采用复介电函数描述了玻璃或SiO2基底上脉冲激光沉积纳米级CeNi5合金层的介电特性。分别研究了该函数在紫外-可见-近红外光谱范围内实部ε1（介电常数或介电系数）与虚部ε2（介电损耗函数）的行为特征。这些纳米合金层是通过短调制激光脉冲从研磨的CeNi5块体粉末制备获得。使用液氮冷却稳定的氦氖激光器在632.8 nm波长下测量了所得纳米合金层的绝对反射率，并据此对紫外-可见-近红外波段相对微分反射光谱测量结果进行重新归一化处理。通过克拉默斯-克勒尼希理论处理获得的绝对反射光谱，从而计算出复介电函数的实部与虚部，并进一步推导出电子损耗函数-Im ε?1和-Im(1 + ε)?1。结合相关理论分析确定了这些函数在光谱拐点附近的行为特征，由此阐释了介电函数的变化规律并推断了电子态密度与能带结构形态。本研究表明所制备纳米级CeNi5结构的光学与电学性质具有层厚及沉积基底的依赖性。
作者： D. Todoran，R. Todoran，Zs. Szakács
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究通过脉冲激光沉积法在玻璃或SiO2基板上制备的纳米级CeNi5薄膜的介电特性，重点分析其光学和电学性能随薄膜厚度及基板材料的变化规律。

研究成果

该研究成功表征了纳米级CeNi5薄膜的介电特性，揭示了其光学与电学行为对厚度和衬底的依赖性。这些发现为电子态密度和能带结构提供了新见解，对现代电子学与光学应用具有重要意义。

研究不足

该研究的局限性在于现有分光光度计覆盖的光谱范围有限，需要对外缺失的紫外C波段和近红外波段进行外推。介电特性的解读也受到所采用理论模型的约束，这些模型可能无法完全反映纳米尺度薄膜行为的所有方面。

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