研究目的
展示一种蓝宝石纳米膜阵列，用于生长离散的微LED阵列，无需有害的等离子体刻蚀工艺，旨在提高内量子效率并降低穿透位错密度。
研究成果
该研究成功展示了一种生长在蓝宝石纳米膜阵列上的类核壳结构微LED阵列，在内部量子效率方面有显著提升，且穿透位错密度降低。这种方法为高效微LED提供了一种无需有害等离子体刻蚀的有前景的平台。
研究不足
该研究聚焦于蓝宝石纳米膜上微发光二极管的制备与初步表征。要实现实际应用，还需进一步优化生长条件和器件加工工艺。
1：实验设计与方法选择：
制备蓝宝石纳米膜阵列并随后生长离散的微LED阵列。
2：样品选择与数据来源：
使用2英寸c面蓝宝石衬底制作纳米膜阵列。
3：实验设备与材料清单：
原子层沉积（ALD）系统、MOCVD腔室、场发射扫描电子显微镜、显微拉曼光谱系统、阴极发光系统。
4：实验步骤与操作流程：
光刻、非晶氧化铝的ALD沉积、湿法蚀刻、结晶热处理、GaN及InGaN/GaN多量子阱的外延生长。
5：数据分析方法：
通过拉曼光谱分析应力状态、利用温度依赖性光致发光估算内量子效率、通过阴极发光观察穿透位错密度。
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