研究目的
研究在一维超导材料光子晶体中插入半导体缺陷对透射光谱的影响，并探究温度和静水压对缺陷模式的作用。
研究成果
在一维光子晶体中插入半导体缺陷会在光子带隙内产生缺陷模式，这些模式随温度升高向长波区域移动。这些模式的品质因数随温度升高而降低，且缺陷间距会影响模式的限制作用和对称性——对于间距较近的缺陷会呈现法诺共振特征。
研究不足
该研究仅限于理论和数值模拟，未进行实验验证。与温度效应相比，静水压力对缺陷模式的影响较小。
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具有耦合半导体缺陷的超导一维光子晶体
DOI：10.1016/j.ijleo.2020.164572
期刊：Optik
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
我们研究了在由超导材料交替层构成的一维光子晶体中插入半导体缺陷对透射光谱的影响。研究发现，半导体缺陷的插入会在光子带隙中产生一个向长波方向移动的缺陷模。出乎意料的是，在较高温度下，该缺陷模不仅会减弱其局域性，而且对光子晶体的光学响应影响更显著（相比压力因素）。我们还扩展分析了两个耦合GaAs缺陷的情况，研究了这两个缺陷间相对距离的影响。数值结果表明：当缺陷间距较近时，缺陷模的品质因数会显著降低，且透射光谱呈现不对称性。
作者：
Francis Segovia-Chaves，Herbert Vinck-Posada，Edgar A. Gómez
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