研究目的
研究基于耦合多量子阱（CMQWs）的低电压电反射调制器的设计与性能，旨在与低损耗聚合物光波导集成，实现850纳米波长下的芯片间和板载光互连。
研究成果
研究表明，基于CMQWs（耦合多量子阱）的低电压电反射调制器有望与超低功耗芯片间光互连技术集成，在低电压条件下相比传统调制器能显著提升消光比并降低插入损耗。
研究不足
该研究承认，当前设备仅作为概念验证，仍有很大的优化空间，特别是在使n+电极堆叠厚度与电子吸收诱导的F-P腔模式相匹配，以及聚焦s偏振以优化F-P腔效应方面。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用CMQWs设计并制备电反射调制器，通过顶部聚合物包层与底部金镜构成的法布里-珀罗腔增强电吸收效应。
2：样本选择与数据来源：
MQW结构通过分子束外延（MBE）在n+掺杂Si的GaAs衬底上生长，外延层形成p-i-n二极管结构，本征区包含标称厚度为10 nm GaAs/5 nm Al0.3Ga0.7As的量子阱。
3：3Ga7As的量子阱。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：制备流程包括Ti/Pt/Au电极图形化、将CMQW晶圆键合至二氧化硅衬底、用光学胶填充间隙、机械研磨GaAs衬底、化学腐蚀去除残余GaAs衬底、沉积Au背反射层及CMQW上N电极图形化。
4：实验步骤与操作流程：
通过施加不同反向偏压下的反射光谱测量评估器件性能，使用中心波长856 nm的超辐射发光二极管作为光源。
5：数据分析方法：
采用多层传输矩阵法计算吸收介质的反射光谱，并通过COMSOL有限元仿真验证解析反射光谱结果。
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获取完整内容-
Ti/Pt/Au electrodes
Acting as P contacting and assisting the indium bonding process.
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indium ribbon
Used to bond the metal patterns on the CMQW and silica substrate.
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UV cured optical adhesive layer
Filled into the gap between the silica substrate and the top of p+ GaAs to protect it from etching during the substrate removal process.
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citric acid solution
Used in the wet etching process to remove the remaining GaAs substrate.
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Au back reflector layer
Deposited on the n+-Al0.37Ga0.53As etch-stop layer to form part of the Fabry-Pérot cavity.
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superluminescent LED
Used to test the incident angle dependence of the CMQW modulator.
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COMSOL
COMSOL
Used for finite element simulation to confirm the analytical reflection spectra, and computed the electric field distributions and modes.
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