研究目的
采用基于物理的紧凑模型和TCAD数值模拟研究GaN-GIT器件的电流-电压（I-V）特性，以预测和建模GIT器件行为。
研究成果
所提出的初步模型与TCAD模拟值高度吻合。该模型突出了GIT运行特有的物理特性，有助于更好地理解器件技术及其在电力电子应用中的局限性。未来工作将包括为电力应用增加一个CV解析模型。
研究不足
该研究聚焦于功率电子学中KHz至MHz范围的低频应用。通过更精细的网格划分可提高仿真线性度，但会大幅增加仿真时间。
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GaN栅极注入晶体管（GIT）的紧凑模型与TCAD仿真
DOI：10.1016/j.sse.2018.10.017
期刊：Solid-State Electronics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
宽带隙（WBG）半导体器件是电力应用领域一项颇具前景的新兴技术，近期正逐步获得商业认可。氮化镓（GaN）凭借高带隙、高迁移率、高饱和速度及高击穿电压等优势，成为最具竞争力的候选材料之一。在电力电子应用中，增强型GaN器件比耗尽型器件更具优势，但直至近年才实现商业化。本研究采用的增强型器件为GaN栅极注入晶体管（GIT），通过增设p型掺杂栅极实现常关特性。本文基于物理紧凑模型和TCAD（技术计算机辅助设计）数值模拟，展示了GaN-GIT器件的电流-电压（I-V）特性，并预测建模了该器件的工作行为。研究同时对比了适用于kHz至MHz频段低频电力电子应用的紧凑模型与TCAD仿真结果。
作者：
Frances Garcia，Samira Shamsir，Syed K. Islam
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