研究目的
研究InN/InGaN量子点的电偶极矩及其对催化性能和光伏效应的影响。
研究成果
该研究成功测量了富铟InGaN层上InN量子点的外向电偶极矩，揭示出不低于150毫伏的偶极势?？淌词笛榉⑾钟肟昭ㄏ喙氐木薮竽谙虻缗技?，导致负表面光电压显著超过InGaN带隙能量。这些发现凸显了InN/InGaN量子点结构中独特光伏效应和光敏性的潜力。
研究不足
该研究的局限性在于开尔文探针力显微镜（KPFM）的空间分辨率不足，无法分辨尺寸微小的单个量子点（QDs）和空穴。此外，表面形貌与晶格极性对所测电偶极矩的精确影响尚需进一步探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用开尔文探针力显微镜（KPFM）直接测量富铟InGaN层上生长的InN量子点（QDs）的电极化偶极矩。实验方法包括通过等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）在金属有机气相外延（MOVPE）生长的GaN/蓝宝石模板上制备样品，随后用HCl水溶液蚀刻以独立评估电极化偶极矩。
2：样品选择与数据来源：
样品包含生长于富铟In0.45Ga0.55N层的1.2单原子层（ML）InN量子点、InN含量低于量子点形成阈值的0.8-ML-InN/In0.45Ga0.55N结构，以及1.5-ML-InN/In0.75Ga0.25N量子点结构。
3：45Ga55N层的2单原子层（ML）InN量子点、InN含量低于量子点形成阈值的8-ML-InN/In45Ga55N结构，以及5-ML-InN/In75Ga25N量子点结构。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、光致发光测量仪（PL）及配备铂铱涂层硅探针的KPFM；材料包括InN/InGaN样品及用于蚀刻的HCl水溶液。
4：实验流程与操作步骤：
流程包含样品生长、蚀刻处理，以及蚀刻前后表面形貌、铟组分、能带隙和KPFM测量数据的获取。
5：数据分析方法：
通过分析AFM图像、KPFM测量的接触电位差（CPD）和表面光电压（SPV）值，结合电极化偶极矩与表面电荷效应解读实验结果。
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Kelvin probe force microscopy
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