研究目的
研究基于硅量子点的发光器件在直流和交流驱动条件下的性能。
研究成果
基于硅量子点/二氧化硅多层结构的制备发光器件在直流和交流驱动条件下均表现出稳定且强烈的电致发光现象，具有低开启电压和良好的发光稳定性，显示出未来硅基光电子集成的潜在应用前景。
研究不足
目前，器件中频率依赖性EL峰位移的机制尚不明确。
1：实验设计与方法选择：
该器件在常规13.56 MHz射频的PECVD系统中生长于p型单晶硅片上。a-Si:H子层采用纯硅烷气体沉积，随后通过原位等离子体氧化形成超薄SiO2子层。沉积后对样品进行脱氢和退火处理。最后沉积ITO和Al电极以形成电致发光器件。
2：56 MHz射频的PECVD系统中生长于p型单晶硅片上。a-Si:
2. 样品选择与数据来源：样品制备为量子点尺寸2.5 nm的Si QDs/SiO2多层结构。
3：样品选择与数据来源：
3. 实验设备与材料清单：PECVD系统、射频电源、硅烷气体、氧气、ITO和Al电极。
4：5 nm的Si QDs/SiO2多层结构。 实验设备与材料清单：
4. 实验步骤与操作流程：通过HORIBA Jobin Yvon Synapse CCD探测器（可见光范围）和液氮冷却InGaAs探测器（红外范围），分别在直流和交流偏压下测量电致发光信号。
5：实验步骤与操作流程：
5. 数据分析方法：通过考虑系统灵敏度对光谱进行校准。
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PECVD system
Used for the deposition of a-Si:H sublayers and in situ plasma oxidation to form ultrathin SiO2 sublayers.
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HORIBA Jobin Yvon synapse CCD detector
HORIBA Jobin Yvon
Used for measuring the EL signals in the visible range.
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InGaAs detector
Used for measuring the EL signals in the infrared range.
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