研究目的
通过研究F4-TCNQ在不同无机基底上的生长模式，评估其作为功能化材料或器件中电活性组分的适用性。
研究成果
在所有研究的基底上，F4-TCNQ均遵循Stranski-Krastanov生长模式，形成单层膜和不同尺寸的岛状结构。GaN纳米线作为F4-TCNQ岛的成核位点，分子围绕纳米线形成闭合同轴壳层。该发现为F4-TCNQ在纳米线基应用中的使用提供了关键信息。
研究不足
该研究仅限于较小的衬底温度范围，且由于F4-TCNQ可能发生再蒸发而未探索更高温度。分子在不同衬底上的取向影响尚未充分研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究在超高真空（UHV）条件下，采用有机分子束沉积（OMBD）技术将F4-TCNQ沉积于多种无机基底表面。
2：样本选择与数据来源：
所用基底包括硅、碳化硅、硅上石墨烯、蓝宝石、纳米晶金刚石以及氮化镓（GaN）薄膜和纳米线阵列。
3：实验设备与材料清单：
采用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）进行表征分析。
4：实验流程与操作步骤：
基底经清洁处理后进行F4-TCNQ沉积，通过AFM、SEM和XPS对生长过程进行表征。
5：数据分析方法：
基于F4-TCNQ层的形貌与厚度分析其生长模式。
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