研究目的
研究Pd/Al2O3/MoS2/ITO MISM紫外光电探测器在响应度、探测率和外量子效率方面的性能。
研究成果
制备的Pd/Al2O3/MoS2/ITO MISM光电探测器展现出更高的比探测率(约8.22×1013琼斯)和EQE(约1.9×10?%),优于其他已报道的研究成果。在肖特基接触下方插入极薄的绝缘层显著提升了光电探测器的性能。
研究不足
该研究聚焦于光电探测器在特定条件(波长308纳米、1伏偏压、光强13.6微瓦/平方厘米)下的性能表现,未探讨不同条件下的可扩展性及实际应用。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用射频溅射法制备并分析Pd/Al2O3/MoS2/ITO MISM紫外光电探测器。通过X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的结构与形貌特征,利用可变角度椭偏仪进行光学特性测试。
2:样品选择与数据来源:
在ITO镀膜玻璃基底上通过射频溅射法沉积少层MoS2薄膜,随后在真空环境中1200℃退火处理。继而采用Al2O3靶材重复溅射工艺,在MoS2表面获得薄层Al2O3。
3:实验设备与材料清单:
射频溅射系统、X射线衍射仪(理学SmartLab面内掠入射XRD)、场发射扫描电镜(Nova NanoSEM 450)、拉曼光谱仪(普林斯顿仪器Action Pro SP-2500)、参数分析仪(DMM-34410A,安捷伦)。
4:0)、拉曼光谱仪(普林斯顿仪器Action Pro SP-2500)、参数分析仪(DMM-34410A,安捷伦)。 实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:首先在ITO镀膜玻璃基底上沉积MoS2并进行退火处理,随后在MoS2表面沉积Al2O3层,最后采用掩模技术将钯接触电极图案化于Al2O3层顶部。
5:数据分析方法:
使用单色仪分析300-800nm波长范围的光谱响应度,通过特定公式计算响应度、探测率和外量子效率(EQE)。
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获取完整内容-
XRD
Rigaku smart lab in plane grazing angle XRD
Rigaku
Characterization of structural details of films.
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Parameter analyzer
DMM-34410A
Agilent
Measurement of I-V characteristics.
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RF sputtering system
Used for the deposition of MoS2 and Al2O3 layers.
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FESEM
Nova NanoSEM 450
Nova
Characterization of morphological details of films.
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Raman spectroscopy
Princeton Instruments Action pro SP-2500
Princeton Instruments
Confirmation of MoS2 deposition.
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