研究目的
研究射频磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺条件对其结构参数的影响,特别关注波长λ=374 nm(对应1LO声子耦合激子发射)的紫外发光强度提升。
研究成果
研究表明,射频磁控溅射条件会显著影响n-ZnO/p-GaN结构的光致发光和电致发光光谱。优化沉积参数可增强紫外发射强度,这对光电器件应用至关重要。
研究不足
该研究的局限性在于射频磁控溅射的特定条件及所使用的基底类型。缺陷对发射特性的影响可能因不同的制备方法或材料而有所变化。
研究目的
研究射频磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺条件对其结构参数的影响,特别关注波长λ=374 nm(对应1LO声子耦合激子发射)的紫外发光强度提升。
研究成果
研究表明,射频磁控溅射条件会显著影响n-ZnO/p-GaN结构的光致发光和电致发光光谱。优化沉积参数可增强紫外发射强度,这对光电器件应用至关重要。
研究不足
该研究的局限性在于射频磁控溅射的特定条件及所使用的基底类型。缺陷对发射特性的影响可能因不同的制备方法或材料而有所变化。
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