研究目的
研究室温下沉积的SnO2薄膜的电阻开关效应及铁磁性的电场调控。
研究成果
在室温下沉积的SnO2薄膜表现出室温铁磁性，并在Ta/SnO2/Pt器件中呈现双极和多级阻变特性。其饱和磁化强度可通过有无直流环流的电场进行调控，这有利于开发低功耗的新型自旋电子器件。
研究不足
该研究仅限于室温下沉积的SnO2薄膜，未探讨其他沉积条件或材料的影响。
1：实验设计与方法选择：
采用SnO2非磁性陶瓷靶材，通过溅射技术在室温下于Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积SnO2薄膜。在Ta/SnO2/Pt器件中观察到双极性和多级阻变（RS）现象。
2：样品选择与数据来源：
在不同沉积温度及Ar:O2气压比条件下制备SnO2薄膜。
3：实验设备与材料清单：
X射线衍射仪（D/max-2500，理学）、场发射透射电子显微镜（FETEM，FEI-Tecnai G2F20）、Keithley 2400源表、振动样品磁强计（VersaLab，Quantum Design）。
4：0）、Keithley 2400源表、振动样品磁强计（VersaLab，Quantum Design）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：通过施加扫描电压测量阻变特性，采用振动样品磁强计进行磁学测量。
5：数据分析方法：
通过分析I-V曲线和M-H回线研究阻变特性和铁磁性。
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vibrating sample magnetometer
VersaLab
Quantum Design
To perform magnetic measurements
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X-ray diffractometer
D/max-2500
Rigaku
To examine the crystal-structure of samples
