研究目的
研究热退火对具有双向阈值开关特性的Ge-As-Te薄膜在交叉点阵列结构选择器器件中降低击穿电压的影响。
研究成果
对Ge-As-Te薄膜进行热退火处理通过引发成分涨落来降低阈值开关所需的触发电压，这种成分涨落减少了丝状结构形成所需的能量。这表明适当的热退火可以改善双向阈值开关器件中的电触发过程。
研究不足
该研究的局限性在于烧制过程中变化的具体物理性质尚不明确，且需要进一步理解以优化器件的可靠性和性能。
1：实验设计与方法选择：
研究通过将非晶Ge-As-Te薄膜夹在TiN和W层之间制备选择器器件，并利用透射电镜观察电激发前后微观结构变化。通过热退火研究其对阈值开关行为的影响。
2：样品选择与数据来源：
Ge-As-Te薄膜采用射频溅射沉积，其电学特性通过器件分析仪进行测试。热退火采用快速热退火工艺完成。
3：实验设备与材料清单：
透射电镜（JEOL JEM-F200）、射频磁控溅射系统、直流反应溅射系统、Keysight B1500A器件分析仪、快速热退火系统。
4：0）、射频磁控溅射系统、直流反应溅射系统、Keysight B1500A器件分析仪、快速热退火系统。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：对Ge-As-Te薄膜进行电激发和热退火处理，随后通过透射电镜和电学测量分析其对微观结构和阈值开关行为的影响。
5：数据分析方法：
采用透射电镜分析微观结构，掠入射X射线衍射分析结晶度，电学测量分析阈值开关特性。
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Keysight B1500A device analyzer
B1500A
Keysight
Investigating the electrical properties of the Ge–As–Te thin films.
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TEM
JEOL JEM-F200
JEOL
Examining the microstructure of Ge–As–Te thin films before and after the electric firing process.
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RF magnetron sputtering system
Depositing Ge–As–Te thin films.
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DC reactive sputtering system
Depositing TiN top electrode.
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RTA system
Thermal annealing of Ge–As–Te thin films.
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