研究目的
设计并模拟一种基于硅的垂直纳米线异质结构阵列光电探测器,该探测器工作于通信波长以实现高响应度。
研究成果
基于硅的垂直纳米线异质结构阵列光电探测器展现出超过0.8 A/W的卓越响应度,比具有相同等效厚度的薄膜器件高出数倍,在光通信领域展现出巨大潜力。
研究不足
该研究基于模拟,需要进行实际的实验验证。本征区上部的吸收不足,表明需要进一步提高光吸收能力。
研究目的
设计并模拟一种基于硅的垂直纳米线异质结构阵列光电探测器,该探测器工作于通信波长以实现高响应度。
研究成果
基于硅的垂直纳米线异质结构阵列光电探测器展现出超过0.8 A/W的卓越响应度,比具有相同等效厚度的薄膜器件高出数倍,在光通信领域展现出巨大潜力。
研究不足
该研究基于模拟,需要进行实际的实验验证。本征区上部的吸收不足,表明需要进一步提高光吸收能力。
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