研究目的
研究Ca3TaAl3Si2O14（CTAS）压电单晶的相形成与晶体生长过程，以明确无杂质相条件下生长高质量单晶所需的必要条件。
研究成果
较高的烧结温度（1350°C）有助于形成CTAS相，并促进无杂质相的CTAS单晶生长。由于熔体中的液相不混溶性，烧结粉末的相态是影响CTAS单晶生长的关键因素。
研究不足
该研究强调了在较低烧结温度下生长高质量CTAS单晶的困难性以及杂质相的存在问题。直拉法生长条件尚未完全优化，导致晶体出现裂纹。
1：实验设计与方法选择：
研究通过在不同温度下烧结CTAS粉末，并采用直拉法生长单晶。
2：样品选择与数据来源：
起始材料按CTAS化学计量标称组成混合，并在不同温度下烧结。
3：实验设备与材料清单：
使用φ50毫米铱坩埚（由射频感应线圈加热）、绝缘体（氧化锆和氧化铝）及石英管。
4：实验步骤与操作流程：
烧结粉末后，通过提拉熔体并使用CTAS籽晶生长单晶。
5：数据分析方法：
采用粉末X射线衍射（XRD）研究物相形成，并通过扫描电子显微镜（SEM）观察单晶的局部结构。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
SEM
Hitachi S-3400N
Hitachi
Used for observing the local structures of the CTAS single crystals.
-
Ir crucible
?50 mm
Used for heating and melting the CTAS powders during the crystal growth process.
-
RF induction coil
Used to heat the Ir crucible to the melting point of CTAS.
-
EDX
Horiba E-Max
Horiba
Used for analyzing the chemical composition of each phase in the CTAS single crystals.
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
