研究目的
采用四探针法和X射线衍射分析研究沉积在p型硅衬底上的银薄膜的电学特性。
研究成果
研究表明，增加银薄膜的厚度可降低方阻和电阻率，同时提高电导率。当厚度为400纳米时，银层展现出最佳的电学性能——此时导电性最强且电阻最低，这与形成具有(200)晶向的面心立方（FCC）晶体结构相关。
研究不足
该研究仅限于硅基底上特定厚度的银薄膜。未探究其他基底或沉积方法的影响。
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采用四探针法研究并计算银薄膜的电学性能
DOI：10.4172/2469-410X.1000150
期刊：Journal of Lasers, Optics & Photonics
出版年份：2017
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本研究采用热蒸发法在晶体取向为(100)的p型硅衬底上沉积了厚度分别为300、360和400纳米的银薄膜。通过四探针法和XRD分析对表面层进行测试，研究了包括方块电阻、电导率、电阻率等电学特性，并分析了形成的银相结构。XRD结果显示，在400纳米厚度时形成了具有(200)晶向的最佳面心立方(FCC)银结构，利用德拜-谢乐公式计算出相邻晶面间距为8.94纳米。四探针测试表明：随着厚度增加，方块电阻和电阻率降低而电导率升高。400纳米厚度的银层具有最高的电导率和最低的电阻值。
作者：
Askari MB，Shahryari M，Nanekarany S
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