研究目的
研究大规模少层α-MoO3薄膜的生长与表征，探索其在纳米制造和忆阻器件中的潜在应用。
研究成果
该研究成功合成了具有双极载流子输运和忆阻行为的大规模、均匀的少层α-MoO3薄膜，这归因于α-MoO3晶格中的极化子效应。研究结果表明其在神经形态计算领域具有潜在应用价值，但在功率电子器件方面仍需进一步开发。
研究不足
该研究强调了由于高肖特基势垒高度导致实现良好欧姆接触的挑战，以及功率电子应用中改善接触电阻和栅极电介质的需求。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过非晶态MoO3的热相变制备αMoO3薄膜，并采用多种显微与光谱技术进行表征。
2：样品选择与数据来源：
样品通过在氧化硅晶圆上热蒸发MoO3并通氧退火制备而成。
3：实验设备与材料清单：
设备包括原子力显微镜（AFM）、扫描隧道显微镜（STM）、X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱仪（XPS）、拉曼光谱仪及傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）；材料包含MoO3源料与氧化硅晶圆。
4：实验流程与操作步骤：
依次进行非晶MoO3沉积、氧气退火及晶化薄膜的表征。
5：数据分析方法：
通过显微与光谱数据解析晶体结构、化学计量比及电子特性。
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获取完整内容-
MoO3
CAS no. 1313-27-5, Catalog no. 203815
Sigma-Aldrich
Source material for thermal evaporation
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XRD
Xpert3 Powder/Panalytical
Measurement of crystal structure
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Raman spectroscopy
Renishaw
Analysis of atomic bonding structure
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XPS
PHI5500
Analysis of stoichiometry
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