摘要： 采用化学浴沉积法（CBD）在PMMA、ITO、玻璃和硅片等基底上制备了BiSe薄膜。制备过程中沉积温度、时间和pH值保持恒定。生长于ITO、玻璃、PMMA和硅片基底的BiSe薄膜厚度分别为513、468、1039和260纳米。根据GAXRD分析结果，生长于玻璃和PMMA基底的薄膜呈非晶结构，而生长于ITO和硅片基底的薄膜则显示出Bi2Se3晶体的特征峰。计算得出ITO和硅片基底薄膜的晶粒尺寸、单位面积结晶数量及位错密度分别为112.40纳米与43.04纳米；2.25×10??与7.91×10??（1/纳米2）。通过Zisman法测得玻璃、ITO、PMMA和硅片基底薄膜对蒸馏水、乙二醇、甲酰胺和二碘甲烷液体的接触角及临界表面张力。生长于玻璃、ITO、PMMA薄膜的透射率与反射率分别为：T% 79.90、92.76、67.37；R% 6.18、2.07、10.59。其带隙值Eg分别为1.92、2.18、1.60电子伏特。消光系数、折射率及相对介电常数分别为k=0.007、0.002、0.012；n=1.65、1.34、1.96；ε?=0.271、0.083、0.528。玻璃、ITO、PMMA和硅片的方阻、霍尔迁移率、面载流子浓度、体载流子浓度及导电类型依次为：6.52×10?、6.65×101、1.09×10?、6.45×102（Ω/平方厘米）；2.38、1.21×10?1、5.34、1.52（平方厘米/伏·秒）；4.01×101?、7.71×101?、1.06×101?、6.34×101?（每平方厘米）；4.58×101?、1.50×1022、1.02×101?、2.89×102?（每立方厘米）；p型、n型、p型、p型。此外，通过范德堡法和HEMS技术测得了薄膜的I-V特性及磁阻随磁场变化关系。