研究目的
开发一种基于碲化镉光电二极管和火山结构场发射阵列的耐辐射紧凑型图像传感器，用于核电站等高辐射环境。
研究成果
该原型图像传感器展现出高达1.2兆戈瑞的显著抗辐射性能，适用于高辐射环境。需进一步研究以优化其实际应用性能。
研究不足
该研究主要关注伽马射线耐受性；未探究其他形式的辐射及其影响。持续辐射暴露下的运行极限需进一步研究。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 具有场发射阵列的耐辐射图像传感器研发最新进展
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 具有场发射阵列的耐辐射图像传感器研发最新进展
DOI：10.1109/IVNC.2018.8520056
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
采用碲化镉基光电二极管和火山结构场发射阵列开发了一种原型图像传感器。通过钴-60源进行伽马射线辐照测试了各组件的辐射耐受性。经确认，场发射阵列和光电二极管的伽马射线耐受性均高达1.2兆戈瑞。
作者：
Tomoaki Masuzawa，Yoichiro Neo，Hidenori Mimura，Yasuhito Gotoh，Masayoshi Nagao，Tamotsu Okamoto，Tomoya Igari，Masafumi Akiyoshi，Nobuhiro Sato，Ikuji Takagi
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