研究目的
研究一种方法，通过在集成硅纳米线限流器的硅场发射阵列（FEAs）中实现更高电压运行，从而可能提高可实现的电流密度。
研究成果
当前采用电流镇流的硅场发射阵列中，通过对纳米线附近氧化物进行定时蚀刻，实现了更高的击穿电压，从而支持更高电压运行。但该方法也会导致场发射性能下降。
研究不足
通过加深纳米线附近氧化物的蚀刻来提高击穿电压的方法会损害场发射性能，这可能是由于缺乏机械支撑导致尖端错位或表面态增加所致。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 由硅纳米线独立调控的硅场发射器阵列：高击穿电压与性能提升
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DOI：10.1109/IVNC.2018.8520086
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
我们制造了集成硅纳米线限流器的硅场发射阵列（FEAs），并研究了一种实现更高电压运行的方法，这有望提高可实现的电流密度。在这项工作中，我们重点关注纳米柱附近发生的介电击穿现象。研究表明，加深蚀刻可以提高击穿电压，但代价是场发射特性变差，这可能是由于机械支撑的丧失或表面态的增加所致。
作者：
Girish Rughoobur，Akintunde I. Akinwande
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