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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 多尖端场致发射阴极的发射特性波动

DOI：10.1109/IVNC.2018.8520094 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要： 报告展示了一项关于基于"聚合物基体中无序碳纳米管"复合材料的多元尖端场致发射阴极发射特性波动的复杂实验研究。研究对象包括：场发射投影仪发光图案与宏观发射电流水平的相关性、发射位点活性、发射位点电流负载分布、单个发射位点的场增强因子、电流-电压特性及有效发射参数对电压和真空度的依赖性、SK图上校准网格的形成、发射体表面吸附/解吸过程的建模。
作者： A.G. Kolosko，E.O. Popov，S.V. Filippov
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研究概述 实验方案

研究目的

研究基于"聚合物基体中无序碳纳米管"复合材料的多元尖端场致发射阴极的发射特性波动，并理解宏观信号形成本质及规律性（该宏观信号由具有随机性的微观特性所决定）。

研究成果

对多尖端发射体表面的场增强因子分布、单个发射位点的波动活动进行了分析，并对电流-电压特性（IVC）波动进行了建模。未来的工作将致力于模拟外部条件变化导致的实际发射体特性改变，并理解实验有效参数直方图与真实场致发射阴极上β分布之间的关联。

研究不足

该研究采用有效参数，与阴极的实际微观参数无直接关联。该模型基于碳纳米管顶部的吸附质随机热脱附及残余气氛中的吸附过程，可能无法完全反映现实中的所有复杂因素。

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