研究目的
开发一种新型碳纳米管发射体生长技术，用于高性能电子束，适用于紫外线灯和X射线管。
研究成果
本研究开发的新型碳纳米管发射极生长技术能够实现高性能电子束生成，成功应用于紫外-C光与X射线成像领域，并展现出乐观的商业化前景。
研究不足
该研究聚焦于碳纳米管发射体在紫外-C光与X射线成像中的开发及初步应用，针对安培级电子发射装置的电子发射特性提出了潜在优化方向。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 用于X射线和紫外器件的高性能碳纳米管冷阴极
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 用于X射线和紫外器件的高性能碳纳米管冷阴极
DOI：10.1109/IVNC.2018.8520182
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
我们开发了采用碳纳米管（CNT）发射极的高性能冷阴极电子束制造技术。碳纳米管发射极的特性及其电子发射特性需与应用设备相匹配。X射线管需要极小阴极面积下产生极高电流，而紫外线灯则要求大面积均匀电子发射。为此，我们研发了带有缓冲层和金属层的新型碳纳米管电子束结构，通过牺牲层提升结构刚性和导电性。该新型碳纳米管冷阴极电子束已应用于紫外灯和X射线管，实现了高性能紫外光输出与X射线成像。
作者：
Sung Tae Yoo，Jung Su Kang，Kyu Chang Park
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