研究目的
在高迁移率InGaAs材料上展示一种横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（LT-MOSFET），并评估其与传统横向MOSFET（CLMOSFET）相比的性能。
研究成果
LT-MOSFET相比CLMOSFET展现出2.4倍的击穿电压提升和3.3倍更高的优值系数，使其适用于微波功率集成电路。
研究不足
由于沟槽结构增加了漂移区长度，LT-MOSFET的导通电阻比CLMOSFET更高。
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[IEEE 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 印度巴姆塔尔(2018.2.23-2018.2.24)] 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 基于InGaAs/InP的100V横向沟槽功率MOSFET
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[IEEE 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 印度巴姆塔尔(2018.2.23-2018.2.24)] 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 基于InGaAs/InP的100V横向沟槽功率MOSFET
DOI：10.1109/IoT-SIU.2018.8519892
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
本文提出了一种基于高迁移率InGaAs材料上的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（LT-MOSFET）。该LT-MOSFET采用沟槽技术设计，其栅电极垂直置于p体区左端沟槽内。漂移区的沟槽引入了RESURF效应以降低电场强度并提升器件击穿电压。通过二维数值模拟显示，在相同单元间距和栅极长度条件下，相较于传统横向MOSFET（CLMOSFET），该LT-MOSFET的击穿电压提高了2.4倍，优值系数提升了3.3倍。
作者：
Sushant Shekhar，Mohit Payal，Jatin srivastava，Mamta Jaiswal，Pushpendra Raj
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