研究目的
研究嵌入式超小铂纳米颗粒与氧化锌（ZnO）沟道存储结构在闪忆阻器存储单元中的效应。
研究成果
研究表明，采用原子层沉积法制备的铂纳米颗粒与氧化锌层相结合，可视为存储器件的理想候选方案，展现出显著存储窗口和高效电荷捕获能力。该结果表明其在下一代非易失性存储技术领域具有应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于含铂纳米颗粒（Pt - NPs）的TFFM电池的制备与表征，但未深入探究这些器件在工业应用中的长期稳定性或可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用原子层沉积（ALD）技术制备高度可控且均匀分散的金属纳米颗粒。
2：样本选择与数据来源：
闪存单元在掺杂p型Si(100)晶圆上制造。
3：实验设备与材料清单：
ALD反应系统（剑桥纳米科技–萨凡纳100）、高分辨率扫描电子显微镜（HR-SEM）、Keithley 4200半导体表征系统、Asylum MFP3D原子力显微镜测量系统、X射线光电子能谱（XPS）。
4：0）、高分辨率扫描电子显微镜（HR-SEM）、Keithley 4200半导体表征系统、Asylum MFP3D原子力显微镜测量系统、X射线光电子能谱（XPS）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：包括定义有源区、沉积Al2O3控制氧化层、沉积Pt-NPs作为电荷捕获层、沉积HfO2作为隧穿氧化层、沉积ZnO沟道以及图案化源漏接触。
5：数据分析方法：
通过IDS-VDS和IDS-VGS曲线分析电学特性，并通过迟滞现象观察存储效应。
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Semiconductor characterization system
Keithley 4200
Keithley
Electrical measurements
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ALD reactor system
Cambridge Nanotech–Savannah 100
Cambridge Nanotech
Deposition of Al2O3 control oxide layer, Pt-NPs, and HfO2 tunnel oxide layer
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High-resolution scanning electron microscopy
HR-SEM
Observation of Pt-NPs
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Atomic force microscopy system
Asylum MFP3D
Asylum
Atomic force microscopy measurements
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X-ray photoelectron spectroscopy
XPS
Determination of the oxidation state of Pt-NPs
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