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[IEEE 2018年第九届超宽带与超短脉冲信号国际会议(UWBUSIS) - 乌克兰敖德萨 (2018.9.4-2018.9.7)] 2018年第九届超宽带与超短脉冲信号国际会议(UWBUSIS) - 非均匀介质内导体同轴屏蔽层横向圆周缝隙的数学模型

DOI：10.1109/UWBUSIS.2018.8520068 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要： 已解决同轴线路屏蔽层中横向圆周槽（其正下方紧贴有介质插入物）的激励与散射问题。通过计算有限长度介质插入物（该插入物完全填充馈线横截面）所引发的多次反射，确定了内部电导率。给出了辐射系数与反射系数的计算公式。
作者： Valentina Lyashchenko，Lyudmila Yatsuk，Nikolay Medvedev
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研究概述 实验方案

研究目的

为解决同轴线屏蔽层中横向圆周槽（槽下方紧贴介质插入体）的激励与散射问题，确定包含介质插入体所引发多次反射的内部电导率，并给出辐射系数与反射系数的计算公式。

研究成果

本文提出了一种非均匀同轴线屏蔽层中带介质插入物的圆周缝隙系统的数学模型。研究获得了用于确定单缝及多缝天线主要特性的表达式，包括振幅与相位分布、辐射系数、反射系数和传输系数。该模型可用于计算所有天线参数的依赖关系，并优化该系统的能量效率。

研究不足

该研究假设屏蔽层无限薄且完全导电，其解仅在槽两侧均有负载且波反射后类型不变时成立。该方法未考虑H型和E型波在两种电介质边界反射时转变为其他模式的情况。

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