研究目的
研究在商业半导体抗蚀剂去除工艺步骤中使用基于独特相流体的光刻胶剥离剂的可行性。
研究成果
标准光刻胶薄膜可使用Intelligent Fluid?相流体解决方案成功去除，其工艺时间符合大批量生产的吞吐量要求。将工艺流体温度控制在40°C-60°C范围内并添加兆声频范围的声能，可显著缩短整体剥离工艺时间。
研究不足
冲洗条件的变化影响了接触角测量结果的可靠性。需要采用主动冲洗和自动干燥流程进行进一步测试。
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采用先进单晶圆光刻胶处理系统，通过独特无溶剂相流体实现兆声增强光刻胶去除
DOI：10.1149/08608.0003ecst
期刊：ECS Transactions
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
本研究探讨了新一代相流体剥离技术在多种半导体光刻胶上的应用。实验中采用的水基智能流体配方均达到VLSI级别，具有铜兼容性且无毒。第一阶段实验旨在确定在合理时间内光刻胶类型与Intelligent Fluid?配方之间是否存在反应，最具潜力的组合被选入第二阶段进行深入研究。后续实验通过调节工艺温度设置和添加兆声波能量，展示了最佳工艺参数。通过目视检查和接触角测量对光刻胶剥离效果进行了量化评估。
作者：
D. Dussault，M. Weinhart，T. Zenger，I. Eichinger
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