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光照射对二氧化钒金属-绝缘体转变的影响

DOI:10.1063/1.5050880 期刊:Applied Physics Letters 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:21:21
摘要: 我们报道了VO2薄膜器件在光辐照下出现大幅转变温度(TC)降低的现象。当405纳米波长光照强度(PIntensity)增加时,VO2器件的TC以每平方厘米(3.2±0.3)×10?2瓦的速率下降,在PIntensity达到8.4×102瓦/平方厘米时最低降至40.0±0.5°C。当PIntensity低于3.6×102瓦/平方厘米时,TC变化主要源于光热效应;而当PIntensity超过6.4×102瓦/平方厘米时,光热效应与光生载流子密度效应共同导致TC变化。
作者: Gi Yong Lee,Bongjin Simon Mun,Honglyoul Ju
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研究概述 实验方案 设备清单

研究光辐照对二氧化钒薄膜金属-绝缘体转变温度的影响。

研究表明,光照射能显著降低VO2薄膜的金属-绝缘体转变温度,在较低光照强度下主要表现为光热效应,而在较高强度时则同时存在光热效应与光生载流子密度效应的共同作用。这一发现对VO2在传感器和开关等器件中的控制与应用具有重要意义。

该研究主要关注特定波长(405纳米)持续光照的影响,未探究全波段可能波长或脉冲照射效应。基于强度阈值区分光热效应与光生载流子密度效应,可能无法捕捉相互作用的所有细微差异。

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