研究目的
研究射频磁控溅射制备的Mg薄膜中沉积温度及不同衬底对结构和缺陷的影响。
研究成果
镁薄膜呈现(0001)织构，且平均晶粒尺寸随薄膜厚度增加而增大。镁薄膜中的正电子被捕获于错配位错和晶界处的类空位缺陷中。由于晶界体积分数降低，300℃沉积的薄膜比室温沉积的薄膜具有更大的晶粒和更低的缺陷浓度。
研究不足
本研究仅限于采用射频磁控溅射法制备并通过特定技术（VEPAS、SEM、XRD）表征的镁薄膜。所得结论可能不直接适用于其他方法制备的薄膜或其他材料。
薄镁膜的结构研究
DOI：10.1088/1742-6596/505/1/012024
期刊：Journal of Physics: Conference Series
出版年份：2014
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
本工作采用可变能量正电子湮没谱学(VEPAS)研究Mg薄膜中的缺陷。通过结合扫描电子显微镜和X射线衍射进行VEPAS表征，分别测定晶粒尺寸和织构。本研究旨在考察沉积温度及不同衬底对射频磁控溅射制备的Mg薄膜结构和缺陷的影响。SEM观测显示，蓝宝石(0001)衬底上沉积的薄膜晶粒始终小于非晶熔融石英和硅(100)衬底上的薄膜，后两者晶粒尺寸相当。VEPAS缺陷研究表明，所研究Mg薄膜中的正电子被捕获于失配位错和晶界处的类空位缺陷中。此外，300℃加热衬底上沉积的薄膜比室温沉积的薄膜具有更低的缺陷浓度和更大的晶粒尺寸。将室温沉积的薄膜在300℃退火1小时后，由于晶粒粗化导致缺陷密度略有降低。
作者：
P Hru?ka，J ?í?ek，W Anwand，J Bulí?，J Lan?ok，J Stráská，O Melikhova，I Procházka
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