研究目的
研究体相六方YMnO3中氧空位的占位与迁移，以及中性铁电畴壁与氧空位之间的相互作用。
研究成果
六方相YMnO3中的氧空位在Mn-O层中比顶点位置更稳定，在体材料中优先出现在平面O4位点。由于局部应变场导致不利的Y-O键长，这些空位不太可能在中性畴壁处聚集。研究结果表明，氧空位并非六方锰氧化物中性畴壁处观测到导电性增强的起源。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的计算方法可能无法完全捕捉材料在实验条件下的所有行为特征。此外，仅关注中性畴壁可能未能解释带电畴壁中氧空位的行为。
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六方相材料体相及中性畴壁中的氧空位
DOI：10.1103/PhysRevB.98.184102
期刊：Physical Review B
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们采用密度泛函计算研究了体相六方YMnO3中氧空位的容纳与迁移机制，以及中性铁电畴壁与氧空位间的相互作用。计算表明，体相YMnO3中的氧空位在Mn-O层比Y-O层更稳定。平面氧空位的迁移势垒高于钙钛矿体系中的氧空位，也高于先前报道的h-YMnO3中氧间隙原子的相应值。计算得到的极化强度随空位浓度线性降低，而面外晶格参数膨胀趋势与既往实验相符。与铁电钙钛矿不同，体相中的氧空位比畴壁处更稳定。氧空位倾向于远离中性畴壁的现象，可通过畴壁局部应变场导致的Y-O键长失配来解释。
作者：
Sandra H. Skj?rv?，Didrik R. Sm?br?ten，Nicola A. Spaldin，Thomas Tybell，Sverre M. Selbach
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