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[IEEE 2018年第43届国际红外、毫米波和太赫兹波会议（IRMMW-THz2018） - 日本名古屋（2018年9月9日-2018年9月14日）] 2018年第43届国际红外、毫米波和太赫兹波会议（IRMMW-THz） - SnS?单晶与垂直纳米结构中的载流子动力学：边缘的作用

DOI：10.1109/IRMMW-THz.2018.8509909 出版年份：2018 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： SnS2是范德华二维层状材料家族中的一员。其适中的带隙、环境稳定性及高载流子迁移率使其在太阳能转换应用中颇具吸引力。我们探究了将SnS2纳米结构化为垂直排列纳米片以增加表面积后，与块体SnS2相比对光注入载流子寿命和微观导电性的影响。增大的表面积和边缘的存在有利于提升SnS2光阳极的性能效率，但代价是表面和边缘态的载流子捕获增加。
作者： Kateryna Kushnir，Erin Morissette，Binod Giri，Curtis W. Doiron，Ronald L. Grimm，Pratap M. Rao，Lyubov V. Titova
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究垂直排列的纳米片状SnS2纳米结构与块体SnS2相比，对光注入载流子寿命和微观导电性的影响。

研究成果

在厚度小于50纳米的垂直SnS?纳米片中，载流子寿命和迁移率仅比块体单晶低两到三倍。阵列中最薄的纳米片最容易受到表面和边缘态的载流子俘获和/或复合影响。需要进一步开展瞬态电导测量和光电化学表征，以更深入地了解表面和边缘对载流子寿命及器件性能的影响。

研究不足

该研究的局限性在于，需要进一步对不同长度和厚度的纳米片阵列，以及边缘经有机配体钝化的阵列进行实验，才能充分阐明所观察到的载流子捕获或复合机制的本质。

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