研究目的
研究热氧化对光电应用中CuO2薄膜物理性能的影响。
研究成果
研究表明，退火温度显著影响CuO2薄膜的结构、形貌和光学特性。较高的退火温度会提高透明度并改变能带间隙。由于这些薄膜具有优良的光学性能，它们在光电子应用方面展现出潜力。
研究不足
本研究仅限于射频溅射制备的CuO2薄膜受热氧化的影响。退火温度范围及溅射工艺的具体条件可能无法涵盖薄膜性能的所有可能变化。
1：实验设计与方法选择：
采用射频溅射法在玻璃基底上制备Cu2O薄膜，随后进行不同退火温度的热氧化处理。
2：样品选择与数据来源：
使用高纯度铜靶材进行溅射，样品退火温度范围为300°C至600°C。
3：实验设备与材料清单：
射频溅射系统、扫描电子显微镜（JOEL JSM-6460LV）、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计及光致发光光谱系统（JobinYvon型号HR 800 UV系统）。
4：实验步骤与操作流程：
基底清洗、溅射过程、退火处理，以及利用SEM、XRD、UV-VIS和PL技术进行表征。
5：数据分析方法：
通过分析XRD图谱、SEM图像、透射光谱及PL光谱，确定样品的结构、形貌及光学特性。
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获取完整内容-
SEM
JSM-6460LV
JOEL
Used to investigate the surface morphology of Cu2O films.
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X-Ray diffractometer
Used to analyze the structural properties of the Cu2O films.
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UV-VIS spectrometer
Used to characterize the optical properties of the films.
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Photoluminescence spectroscopy system
HR 800 UV system
JobinYvon
Used to measure the photoluminescence behaviors of the films.
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