研究目的
开发一种无需开模脱封的超声波封装失效分析新技术。
研究成果
SOBIRCH已被证明是一种极具前景且可行的方法，可用于诱导封装集成电路和多层芯片中的电阻变化。该方法无需开盖即可分析封装器件的ESD损伤，并能从多层裸片层中分别识别各层的信号。
研究不足
SOBIRCH的横向空间分辨率不如IR-OBIRCH精细。
1：实验设计与方法选择：
该方法采用超声刺激诱导半导体器件电阻变化，无需进行模具开盖。
2：样本选择与数据来源：
样本包括SSOP和QFP封装集成电路及多层芯片样品。
3：实验设备与材料清单：
设备包含信号发生器、40MHz和200MHz换能器、电流放大器及锁相放大器；材料为作为耦合介质的水滴。
4：实验流程与操作步骤：
由信号发生器驱动换能器产生超声波，通过水滴耦合至样本。利用锁相放大器测量并检测超声刺激引发的电流变化。
5：数据分析方法：
基于锁相放大器输出生成二维定位图谱以实现失效定位。
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signal generator
Generates a burst signal to drive the transducer for ultrasound wave generation.
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transducer
40 MHz and 200 MHz
Generates an ultrasound wave for stimulation of the semiconductor device.
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current amplifier
Measures the current change in the wiring due to ultrasonic stimulation.
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lock-in amplifier
Detects the current change signal for creating a two-dimensional profile for failure localization.
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