研究目的
采用第一性原理计算研究四种块体碳化硅(SiC)多型体的电子结构、声子能带结构和介电性质。
研究成果
该研究通过第一性原理计算成功探究了四种块体碳化硅多型的电子结构、声子能带结构及介电性质。计算结果与既有理论和实验数据高度吻合,验证了所用方法的有效性。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的计算方法可能无法完全捕捉材料的所有物理特性。单次变体的GW方法可能无法涵盖所有的多体效应。
研究目的
采用第一性原理计算研究四种块体碳化硅(SiC)多型体的电子结构、声子能带结构和介电性质。
研究成果
该研究通过第一性原理计算成功探究了四种块体碳化硅多型的电子结构、声子能带结构及介电性质。计算结果与既有理论和实验数据高度吻合,验证了所用方法的有效性。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的计算方法可能无法完全捕捉材料的所有物理特性。单次变体的GW方法可能无法涵盖所有的多体效应。
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