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掺铜Cd0.7Zn0.3S薄膜的制备与表征及铜掺杂效应评价

DOI：10.14233/ajchem.2017.20280 期刊：Asian Journal of Chemistry 出版年份：2017 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 通过化学沉积技术制备了不同摩尔百分比Cu掺杂的Cd0.7Zn0.3S。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散光谱和紫外光谱对薄膜进行了表征。X射线衍射结果表明薄膜具有六方结构的polycrystalline特性。SEM研究表明球体尺寸随Cu浓度增加而初始增大。能量色散X射线分析证实了元素组分存在。光学研究结果显示带隙能量从4.650变化至3.265 eV，证实Cd0.7Zn0.3S中Cu浓度增加导致带隙减小。
作者： T. SARAVANA KUMARAN，S. PARVEEN BANU，C. KAMAL，G. VENKATESH
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究铜掺杂Cd0.7Zn0.3S薄膜的制备与表征，并评估铜掺杂对薄膜光学及结构性能的影响。

研究成果

通过化学浴沉积技术在玻璃基底上制备了Cu:Cd0.7Zn0.3S薄膜。X射线衍射结果表明，Cd0.7Zn0.3S:Cu薄膜呈六方结构的晶态多晶形式。利用光学吸收光谱测得Cu:Cd0.7Zn0.3S样品的禁带宽度在4.650至3.265电子伏特之间。扫描电镜研究表明，该薄膜为细小球状晶粒簇。能谱分析证实了元素成分的存在。

研究不足

本研究仅限于通过化学浴沉积法制备的铜掺杂Cd0.7Zn0.3S薄膜的表征。未探讨其他掺杂元素或制备方法的影响。

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