研究目的
构建具有更高导电性和更多电催化析氢反应（HER）活性位点的二硫化钼（MoS2）杂化纳米结构。
研究成果
通过煅烧和水热法制备了具有精细可控性和高重现性的P-MoS2纳米花瓣包覆N-CS的层级核壳结构。适当负载量的N-C@P-MoS2展现出最佳析氢反应性能，具有最低的起始过电位、较小的塔菲尔斜率以及优异的稳定性和耐久性。增强的析氢活性主要归因于结构和电子工程的协同效应。
研究不足
提供的内容中未明确提及实验的技术和应用限制，以及潜在的优化领域。
1：实验设计与方法选择：
开发了一种煅烧-水热法合成用于电催化析氢反应的分级N-C@P-MoS2核壳结构。中空氮掺杂碳球（N-CS）作为基质材料、成核位点及电荷传输通道，加速P-MoS2纳米片的生长。
2：样品与数据来源：
使用正硅酸乙酯（TEOS）、间苯二酚（R）、甲醛（F）、乙二胺（EDA）、氨水（NH3·H2O）、乙醇、氢氧化钠（NaOH）、硫酸（H2SO4）、二水合钼酸钠（NaMoO4·2H2O）、硫代乙酰胺（TAA）和磷酸二氢铵（NH4H2PO4）。
3：4）、二水合钼酸钠（NaMoO4·2H2O）、硫代乙酰胺（TAA）和磷酸二氢铵（NH4H2PO4）。 实验仪器与材料清单：
3. 实验仪器与材料清单：透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、布鲁诺尔-埃米特-泰勒（BET）分析、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）。
4：实验流程与操作步骤：
合成过程包括制备SiO2@N-RF球体、煅烧获得SiO2@N-C、去除SiO2内核得到N-CS，以及水热法在N-CS上生长P-MoS2纳米片。
5：数据分析方法：
采用CHI 660E电化学分析仪在常规三电极体系中进行电化学测试。
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