研究目的
研究反应磁控溅射沉积功率对氧化钴多晶薄膜化学计量比和结构的影响。
研究成果
沉积功率显著影响氧化钴薄膜的相结构，较低功率有利于形成Co3O4相，较高功率则倾向于生成CoO相。相变过程与沉积机制从中毒靶材状态向金属靶材状态的转变相关。该研究表明反应溅射技术在功能材料相控制方面具有应用潜力。
研究不足
该研究仅限于在恒定O2流量下沉积功率对薄膜化学计量比和结构的影响。模拟提供了定性见解，但可能无法完全捕捉复杂反应溅射过程的所有方面。
1：实验设计与方法选择：
研究采用功率范围为80至240瓦的直流放电，使用金属钴靶材及氩氧混合等离子体。分别通过X射线衍射和光学发射光谱分析薄膜与等离子体特性，计算机模拟辅助理解沉积过程。
2：样品选择与数据来源：
氧化钴薄膜沉积于熔融石英基底上。结构分析使用XRD完成，等离子体特性通过光学发射分析。
3：实验设备与材料清单：
使用金属钴靶材、氩气和氧气、直流电源发生器、X射线衍射仪及光学发射光谱仪。
4：实验流程与操作步骤：
在保持其他参数恒定的情况下，以不同功率沉积薄膜，沉积后分析其结构与成分变化。
5：数据分析方法：
通过XRD数据分析存在的晶相，利用光学发射数据了解等离子体成分，计算机模拟提供沉积机制的见解。
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