1：实验设计与方法选择：

分别在GaSb/InSb晶体中掺杂In/Ga元素，研究其热电性能。采用高纯度6N级In、Ga和Sb元素通过熔融凝固法合成晶体，使用感应加热炉在氢气流动气氛下于石英坩埚中生长晶体。

2：样品选择与数据来源：

合成了分别重掺杂（1×102?和1×1021/cm3）In和Ga元素的GaSb与InSb晶体。

3：实验设备与材料清单：

感应加热炉、石英坩埚、高纯度6N级In/Ga/Sb元素、Rigaku RINT X射线衍射仪、JEOL-JXA 8530F场发射电子探针显微分析仪、ESCA 3400电子能谱仪、Ulvac Rico ZEM 3系统、NETZSCH-LFA 447纳米闪光仪。

4：实验流程与操作步骤：

炉温分别升至720℃（生长In掺杂GaSb晶体）和650℃（生长Ga掺杂InSb晶体），生长温度保温时间2小时，所有实验的升温/降温速率固定为10℃/分钟。生长完成后使用SiC和氧化铝磨料切割抛光晶体用于分析。

5：数据分析方法：

采用X射线衍射(XRD)进行结构分析；通过能量色散X射线(EDX)面扫描分析成分分布；使用ESCA 3400电子能谱仪测定元素结合能；利用Ulvac Rico ZEM 3系统测量电阻率和塞贝克系数；采用激光闪光法测定热导率。