研究目的
开发基于氧化石墨烯-半导体结构的高电子发射效率与密度的平面型电子发射器件。
研究成果
GOS平面型电子发射器件实现了高电子发射效率（>10%）和高电流密度（~100 mA/cm2），为电子束技术开辟了新的应用领域。
研究不足
该研究未讨论制造工艺的可扩展性或器件在实际工作条件下的长期稳定性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用低温石墨烯沉积与器件后处理退火相结合的方法，开发GOS平面型电子发射器件。
2：样本选择与数据来源：
使用热氧化层厚度为300 nm的高掺杂n型硅衬底。
3：实验设备与材料清单：
设备包括真空腔室、涡轮分子泵、旋片泵和光刻工具；材料包含石墨烯、Ni/Ti接触电极及硅衬底。
4：实验流程与操作步骤：
工艺流程涉及800℃下化学气相沉积（CVD）法合成石墨烯、通过光刻与O?等离子体刻蚀实现器件隔离，以及在真空环境中300℃退火处理。
5：数据分析方法：
在真空条件下测量电子发射特性，分析效率与电流密度参数。
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turbo molecular pump
Used to evacuate the vacuum chamber to a pressure of 10–6 Pa.
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scroll pump
Used in conjunction with the turbo molecular pump to evacuate the vacuum chamber.
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chemical vapor deposition (CVD) system
Used for the synthesis of graphene on the substrate at 800 ℃.
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photolithography tools
Used for device fabrication and isolation processes.
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electron beam evaporation deposition system
Used for the fabrication of Ni/Ti contact electrodes.
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