研究目的
研究衬底温度对电子束和热真空蒸发法沉积的碲化镉（CdTe）薄膜的结构、形貌、光学及电学特性的影响。
研究成果
研究表明，衬底温度对CdTe薄膜的性能有显著影响，在200°C下沉积的薄膜表现出结晶度提高、带隙减小和电导率增强的特点。200°C电子束蒸镀制备的薄膜性能最佳，适用于光电器件应用。
研究不足
该研究聚焦于衬底温度对CdTe薄膜性能的影响，但未深入探讨掺杂或退火等其他变量的作用。比较范围仅限于两种沉积方法和特定膜厚。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用热真空蒸发（TVE）和电子束蒸发（EBE）技术在室温（RT）及200°C衬底温度（TS-200°C）条件下沉积CdTe薄膜。
2：样品选择与数据来源：
使用纯度为99.9%、粒径10-20微米的CdTe粉末，在玻璃衬底上制备厚度为100纳米的薄膜。
3：9%、粒径10-20微米的CdTe粉末，在玻璃衬底上制备厚度为100纳米的薄膜。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：包括用于沉积的真空盒式镀膜机HHV BC-300、用于结构分析的X射线衍射仪PANalytical X'Pert粉末、用于形貌分析的扫描电镜JSM-6390、用于光学研究的紫外-可见双光束550分光光度计以及用于电学测量的Keithley 2400系列源表。
4：用于结构分析的X射线衍射仪PANalytical X'Pert粉末、用于形貌分析的扫描电镜JSM-用于光学研究的紫外-可见双光束550分光光度计以及用于电学测量的Keithley 2400系列源表。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：对玻璃衬底进行清洗，CdTe粉末经压片和烧结后沉积。通过控制速率和厚度完成薄膜沉积，随后采用多种技术进行表征。
5：数据分析方法：
采用德拜-谢乐公式计算结构参数，利用Tauc关系确定光学带隙，通过电流-电压特性分析电学性能。
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Vacuum Box Coater
HHV BC-300
HINDHIVAC
Used for deposition of thin films via thermal vacuum evaporation and electron beam evaporation techniques.
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XRD PANalytical X’Pert powder
PANalytical
Used for structural characterization of thin films via grazing incidence X-ray diffraction.
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JSM-6390 SEM
JEOL
Used for investigating the surface morphology of thin films.
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UV–Visible double beam 550 spectrophotometer
Camspec
Used for optical studies of thin films.
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Keithley 2400 series source meter
Keithley
Used for electrical measurements of thin films via two probes method.
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