研究目的
为在射频硅光调制器中建立互调失真模型并识别限制器件线性度的机制，旨在提高这些调制器的线性度。
研究成果
研究表明，仅对低频光学响应的指数变化进行线性化不足以实现线性化的射频SiP调制器。建议采用更短的MZM臂长或独立驱动的分段结构来改善IMD3性能，尤其是在较高频率下。
研究不足
硅基光调制器的线性度因非线性等离子体色散效应而落后于铌酸锂或III-V族马赫-曾德尔调制器。研究还指出，为改善三阶交调失真(IMD3)，特别是在高频段，需要缩短马赫-曾德尔调制器的臂长。
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[2018年IEEE航空与车载光纤与光子学会议(AVFOP) - 美国俄勒冈州波特兰(2018.11.13-2018.11.14)] 2018年IEEE航空与车载光纤与光子学会议(AVFOP) - 硅光调制器中的射频互调失真源
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[2018年IEEE航空与车载光纤与光子学会议(AVFOP) - 美国俄勒冈州波特兰(2018.11.13-2018.11.14)] 2018年IEEE航空与车载光纤与光子学会议(AVFOP) - 硅光调制器中的射频互调失真源
DOI：10.1109/AVFOP.2018.8550462
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
我们提出了一种射频硅光调制器中的互调失真（IMD）模型，以揭示限制器件线性度的机制。通过比较两种马赫-曾德尔调制器（MZM）的SFDR（无杂散动态范围），展示了常见的IMD限制，并指出了提高硅光射频调制器线性度的方法。
作者：
Navid Hosseinzadeh，Aditya Jain，Roger Helkey，James Buckwalter
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