研究目的
研究外延生长Cu3Ge薄膜的制备、结构及电学性能，以应用于CMOS器件。
研究成果
外延生长的e1-Cu3Ge薄膜在c面蓝宝石衬底上制备，其结晶度得到提升。测得外延Cu3Ge薄膜的平均功函数约为4.47±0.02 eV，使其成为CMOS器件应用中理想的中带隙栅极金属。孪晶的存在增强了机械稳定性并减少了Cu和Ge原子的扩散。
研究不足
该研究聚焦于蓝宝石衬底上外延Cu3Ge薄膜的制备与表征。潜在优化方向包括控制孪晶密度及进一步降低电阻率。
1：实验设计与方法选择：
采用脉冲激光沉积（PLD）技术在蓝宝石衬底上重复沉积锗和铜薄膜。每次沉积均形成超薄锗和铜层以提升结晶度。
2：样品选择与数据来源：
在400±10°C条件下制备五组Cu3Ge薄膜，系统改变沉积参数。
3：实验设备与材料清单：
高分辨透射电子显微镜（HRTEM，JEOL-2010F）、聚焦离子束（FIB）、理学X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、开尔文探针力显微镜（KPFM）。
4：实验流程与操作步骤：
衬底多步清洗、铜锗层沉积、微观结构与电学性能表征。
5：数据分析方法：
XRD θ-2θ扫描分析、HRTEM微观结构表征、AFM形貌分析、KPFM功函数测量。
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获取完整内容-
High‐resolution transmission electron microscope
JEOL‐2010F
JEOL
Characterization of the microstructure of the deposited films.
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Focus ion beam
Preparation of TEM samples.
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X‐ray diffractometer
Rigaku
XRD θ–2θ scan analysis.
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Atomic force microscopy
Characterization of thin film morphology.
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Kelvin probe force microscopy
Measurement of the local work function of epitaxial Cu3Ge thin film.
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