1：实验设计与方法选择：

采用热蒸发法在FTO基底上沉积Cu2ZnSnSe4（CZTSe）和Ag2ZnSnSe4（AZTSe）薄膜。将金属粉末Cu、Ag、Zn、Sn和Se按化学计量比（2:1:1:4）充分研磨后置于钼舟中进行蒸发。使用HIND HIVAC（型号12A4D）镀膜装置使FTO基底与钼舟保持15厘米距离，在150安培工作电流下沉积CZTSe和AZTSe薄膜。蒸发过程中基底保持室温，压力维持在10^-4毫巴。沉积后的薄膜在空气氛围中300°C退火2小时。

2：样品选择与数据来源：

通过X射线衍射仪（PANalytical X'Pert-PRO，Cu Kα辐射λ=1.5460?）对制备的FTO/CZTSe和FTO/AZTSe薄膜进行表征，衍射图谱采集范围2θ=10°-80°。采用傅里叶变换拉曼光谱仪（BRUKER RFS 27）和紫外-可见分光光度计（UV-2400 PC系列）。使用原子力显微镜（Nanosurf Easyscan 2AFM，加速电压15 keV）分析薄膜表面形貌与粗糙度，扫描电子显微镜（JEOL JSM-5610 LV）记录薄膜截面形貌，测得薄膜厚度约1微米。

3：5460?）对制备的FTO/CZTSe和FTO/AZTSe薄膜进行表征，衍射图谱采集范围2θ=10°-80°。采用傅里叶变换拉曼光谱仪（BRUKER RFS 27）和紫外-可见分光光度计（UV-2400 PC系列）。使用原子力显微镜（Nanosurf Easyscan 2AFM，加速电压15 keV）分析薄膜表面形貌与粗糙度，扫描电子显微镜（JEOL JSM-5610 LV）记录薄膜截面形貌，测得薄膜厚度约1微米。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：HIND HIVAC（型号12A4D）镀膜装置、PANalytical X'Pert-PRO衍射仪、BRUKER RFS 27独立式傅里叶变换拉曼光谱仪、UV-2400 PC系列紫外-可见分光光度计、Nanosurf Easyscan 2AFM原子力显微镜、JEOL JSM-5610 LV扫描电子显微镜。

4：实验流程与操作步骤：

采用标准三电极体系构建电化学电池，以0.05 M多硫化物电解液（0.5 M NaOH+0.5 M Na2S+0.5 M S）为介质，FTO/CZTSe和FTO/AZTSe薄膜作为工作电极，铂丝为对电极，Ag/AgCl为参比电极。在±1V范围、1000 Hz频率下获取Mott-Schottky曲线。光电化学测试采用线性扫描伏安法（LSV），以500 W钨丝灯（光强30 mW/cm2）照射样品。交流阻抗测试在1-1000 Hz频率范围内、0V偏压下记录阻抗谱。

5：05 M多硫化物电解液（5 M NaOH+5 M Na2S+5 M S）为介质，FTO/CZTSe和FTO/AZTSe薄膜作为工作电极，铂丝为对电极，Ag/AgCl为参比电极。在±1V范围、1000 Hz频率下获取Mott-Schottky曲线。光电化学测试采用线性扫描伏安法（LSV），以500 W钨丝灯（光强30 mW/cm2）照射样品。交流阻抗测试在1-1000 Hz频率范围内、0V偏压下记录阻抗谱。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：通过标准公式计算晶粒尺寸、位错密度、微应变及晶格参数。采用Tauc图计算FTO/CZTSe和FTO/AZTSe薄膜的带隙值。根据Mott-Schottky曲线斜率计算载流子浓度。