研究目的
合成并表征六方相BGaN合金及量子阱，以调控光电性能并拓展h-BN的应用领域。
研究成果
通过金属有机化学气相沉积法成功合成了富硼层状结构h-B1?xGaxN合金及量子阱，实现了电导率调控与异质结构建。需进一步研究解决镓组分饱和问题并提升材料质量。
研究不足
由于生长温度较高且可能存在混溶间隙，导致镓掺杂量有限；相分离和临界厚度问题需进一步研究。
1：实验设计与方法选择：
采用h-BN外延层作为模板，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）合成富硼的B1?xGaxN合金及量子阱。
2：样品选择与数据来源：
样品生长于c面蓝宝石衬底上，通过调节TMGa流量控制合金组分。
3：实验设备与材料清单：
三乙基硼（TEB）、氨气（NH3）和三甲基镓（TMGa）作为前驱体；氢气作为载气；采用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）进行表征。
4：实验流程与操作步骤：
先在约1350°C下生长h-BN模板，随后在1225°C下生长h-BGaN合金；表征晶体结构与原子组分。
5：数据分析方法：
XRD分析晶体结构；XPS测定原子组分；光致发光（PL）测量光学性能。
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triethylboron
TEB
Precursor for B in the synthesis of h-BGaN alloys.
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ammonia
NH3
Precursor for N in the synthesis of h-BGaN alloys.
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trimethylgallium
TMGa
Precursor for Ga in the synthesis of h-BGaN alloys.
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X-ray diffraction
XRD
Characterization of crystalline structure.
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X-ray photoelectron spectroscopy
XPS
Determination of atomic compositions.
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