研究目的
通过氩离子束轰击进行缺陷工程，研究ReS2/Si光阴极氢析出反应(HER)性能的增强。
研究成果
研究表明，氩离子束轰击能有效在ReS2纳米片上引入原子空位缺陷，显著提升ReS2/Si光阴极的太阳能驱动析氢反应性能。在模拟太阳光照射下，相对于可逆氢电极0 V时测得最高光电流密度达18.5 mA cm?2。
研究不足
该研究聚焦于通过引入ReS2纳米片上的原子空位缺陷来提升析氢反应(HER)性能，但该方法在工业应用中的长期稳定性和可扩展性尚未得到充分探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用化学气相沉积（CVD）法在p型硅衬底上生长高密度ReS2纳米片，随后通过可控氩（Ar）离子束轰击引入原子空位缺陷。
2：样品选择与数据来源：
选用p型Si（100）晶圆作为ReS2纳米片的生长衬底。
3：实验设备与材料清单：
包括管式高真空CVD系统、三氧化铼（ReO3）粉末、硫（S）板及氩离子束刻蚀设备（MIBE-150C）。
4：实验流程与操作步骤：
依次进行p-Si基底上ReS2的CVD生长、Ar离子束轰击缺陷引入及样品表征。
5：数据分析方法：
采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱、X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射（XRD）对样品进行表征，并通过光电化学（PEC）测试评估析氢反应（HER）性能。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
FE-SEM
ZEISS-Ultra55
ZEISS
Field emission scanning electron microscopy for material characterization.
-
TEM
JEOL JEM 2100
JEOL
Transmission electron microscope for nanostructure analysis.
-
XPS
K-Alpha+
Thermo Scientific
X-ray photoelectron spectroscopy for chemical state analysis.
-
XRD
PANalytical
PANalytical
X-ray diffraction for crystalline structure analysis.
-
Electrochemical station
CHI-660E
CHI ShanghaiInc
Photoelectrochemical measurements.
-
Raman spectroscopy system
Renishaw 42K864
Renishaw
Raman spectroscopy for material analysis.
-
Xe lamp
300 W
Simulated sunlight source for photoelectrochemical measurements.
-
Ar ion beam etching equipment
MIBE-150C
Introduction of atomic vacancy defects on ReS2 nanosheets.
-
登录查看剩余6件设备及参数对照表
查看全部
