研究目的
采用具有明显截断尾部的指数型态密度（DOS），研究态密度形状对有机半导体中塞贝克系数的影响。
研究成果
该研究表明，有机半导体中的塞贝克系数受态密度形状、温度以及指数型态密度的截断参数影响。研究结果揭示了有机半导体中载流子的输运特性，可为有机电子器件的设计提供指导。
研究不足
该研究是理论性的，未涉及实验验证。所提出的具有明显截断尾部的指数型态密度函数在实际有机半导体材料中的适用性有待进一步研究。
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[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 无序有机半导体的塞贝克系数
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[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 无序有机半导体的塞贝克系数
DOI：10.1109/ICMMT.2018.8563762
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
塞贝克系数用于描述载流子输运过程，且对态密度形状敏感。但目前有机半导体的态密度尚不明确。部分研究倾向于采用高斯型或指数型态密度。本文提出一种在相同位置具有明确截断尾部的指数型态密度。基于Miller-Abrahams跳跃模型，我们计算了不同温度下初始能量与逃逸能量的变化，分析了电导率对塞贝克系数的依赖关系，并通过特定位置截断尾部的指数型态密度（EC DOS）比较了不同温度下无序度(δ)和能量无序对塞贝克系数的影响。
作者：
Xiaohong Shi，Jiuxun Sun
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