研究目的
研究生长在Si(111)衬底上的铁磁EuO的自旋分裂及其对自旋过滤隧道结的影响。
研究成果
该研究成功展示了具有原子级锐利界面的EuO(111)/Si(111)自旋过滤隧道结中的自旋分裂现象，实现了超过90%的自旋极化率。确定了实现高晶体质量的最佳Eu端接方式，并量化了自旋分裂能。未来工作应探究磁场条件下的电子亲和能与J-V特性。
研究不足
该研究的局限性在于EuO薄膜的居里温度低于块体EuO，这可能是由于富氧层所致。EuO薄膜的厚度也限制了隧道电阻的测量范围。
具有原子级陡峭界面的EuO(111)/Si(111)自旋过滤隧道结中的自旋分裂
DOI：10.7567/JJAP.57.110304
期刊：Japanese Journal of Applied Physics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
我们通过分子束外延技术在硅(111)衬底上生长铁磁EuO材料，展示了自旋分裂势垒中的隧穿现象。对于具有高晶体质量和原子级清晰界面的6纳米厚EuO薄膜，在35K居里温度以下，我们发现自旋分裂导致势垒高度降低。我们在20K时测得分裂能为0.56±0.03电子伏特，由此产生的自旋极化率超过90%。
作者：
Rento Ohsugi，Hiroo Omi，Yoshiharu Krockenberger，Akira Fujiwara
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