研究目的
研究热蒸发法制备的铟掺杂As2Se3薄膜的结构和化学成分变化,重点关注激光照射下InAs纳米晶粒的形成。
研究成果
掺铟As2Se3薄膜中的铟含量呈随膜层深度增加而递减的梯度分布。拉曼光谱显示,在激光照射下通过光塑性诱导的材料混合促进了InAs纳米晶的形成。该研究为掺杂硫系玻璃的结构变化及潜在应用提供了见解。
研究不足
铟掺杂方法可能不适合获得均匀的铟掺杂As2Se3薄膜,尤其是对于较高铟含量而言,这是由于顶层会形成铟团簇且铟更倾向于与硒而非砷原子成键。
研究目的
研究热蒸发法制备的铟掺杂As2Se3薄膜的结构和化学成分变化,重点关注激光照射下InAs纳米晶粒的形成。
研究成果
掺铟As2Se3薄膜中的铟含量呈随膜层深度增加而递减的梯度分布。拉曼光谱显示,在激光照射下通过光塑性诱导的材料混合促进了InAs纳米晶的形成。该研究为掺杂硫系玻璃的结构变化及潜在应用提供了见解。
研究不足
铟掺杂方法可能不适合获得均匀的铟掺杂As2Se3薄膜,尤其是对于较高铟含量而言,这是由于顶层会形成铟团簇且铟更倾向于与硒而非砷原子成键。
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