研究目的
采用直流溅射和快速热处理（RTP）技术在600°C以下温度条件下，研究钠钙玻璃衬底上MoS2薄膜的直接形成过程，并分析其结构与电学性能。
研究成果
采用直流溅射和快速热退火工艺，在钠钙玻璃衬底上成功实现了低温二硫化钼薄膜的制备。该薄膜展现出优良的结构与电学性能，通过优化低功率直流溅射及500°C以上退火温度可获得更佳特性。
研究不足
该研究仅限于600°C以下的温度范围，且未深入探究垂直于平面方向的结晶度。
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在钠钙玻璃衬底上直接低温制备二硫化钼薄膜的工艺
DOI：10.1166/jnn.2019.16231
期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology
出版年份：2019
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
为避免转移工艺导致的机械问题，采用直流磁控溅射与快速热处理（RTP）替代传统化学气相沉积（CVD）工艺制备二硫化钼（MoS2）图案。为在600°C以下温度的钠钙玻璃衬底上形成MoS2薄膜，研究团队通过调节不同直流溅射功率沉积MoS2薄膜，并在400-550°C区间进行退火处理。扫描电镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）结果表明，MoS2薄膜表面形貌随溅射功率及膜厚变化呈现显著差异。拉曼光谱显示E1 2g和A1 g特征峰分别出现在约372 cm?1和400 cm?1处，证实MoS2表面沿面内方向结晶。X射线光电子能谱（XPS）分析表明，在600°C以下RTP处理后，S 2p（2p 1/2, 2p 3/2）和Mo 3d（3d 3/2, 3d 5/2）特征峰均呈现稳定结合能。霍尔效应测试显示所有MoS2薄膜均具有优异的载流子迁移率与载流子浓度特性。
作者：
Sang Min Ma，Sang Jik Kwon，Eou-Sik Cho
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