研究目的
研究用于降低电力电子应用中传导损耗的单片集成双向GaN HEMT的设计与性能。
研究成果
单片集成的双向GaN HEMT展现出与传统单向器件相似的开关与导通态特性，同时显著降低了导通损耗。未来工作应聚焦于优化体区电位连接并集成驱动级以提升性能。
研究不足
该研究的局限性在于双向器件的PCB设计复杂性影响了换相回路的寄生电感。此外，动态导通电阻受热效应和陷阱效应影响，仍有进一步优化的空间。
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[2018年IEEE能源转换大会暨博览会（ECCE）- 美国俄勒冈州波特兰市（2018.9.23-2018.9.27）] 2018年IEEE能源转换大会暨博览会（ECCE）- 新型单片集成双向氮化镓高电子迁移率晶体管
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DOI：10.1109/ECCE.2018.8557741
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
氮化镓功率半导体的横向芯片架构实现了具有双向阻断能力的单片集成氮化镓高电子迁移率晶体管设计。所提出的双向氮化镓高电子迁移率晶体管能显著降低多电平T型逆变器等应用中的导通损耗——这类应用正得益于具备双向电压阻断能力的功率半导体器件。在静态与动态特性测试中，该单片集成双向氮化镓高电子迁移率晶体管展现出与传统单向氮化镓高电子迁移率晶体管相似的开关特性和导通状态表现。
作者：
Carsten Kuring，Mihaela Wolf，Oliver Hilt，Sibylle Dieckerhoff，Jan B?cker，Joachim Würfl
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