研究目的
研究含氧污染的TaSiN薄膜中硅基微团簇的化学态与本征结构及其与电阻率的相关性。
研究成果
TaSiN薄膜的电阻率强烈依赖于由氧污染形成的硅基微团簇的化学状态和密度。在TaN薄膜中观察到三种类型的硅基微团簇（纯硅、SiOx包覆硅和SiO2包覆硅），它们不同的电阻率很可能是由于这些微团簇的化学状态和密度不同所致。
研究不足
该研究的局限性在于TaSiN薄膜中的氧污染，以及由于部分样品中微团簇形状不清晰而导致其尺寸和密度计算困难。
1：实验设计与方法选择：
通过共溅射法在固定或旋转基板上沉积TaSiN薄膜，调节TaN和Si靶材的不同功率条件。
2：样品选择与数据来源：
样品制备于p型Si(100)衬底上，覆盖100 nm厚SiO2层。
3：实验设备与材料清单：
高分辨扫描电镜（JEOL JSM 5900LV）、四探针仪（RT-80；Napson公司）、α台阶仪（DELTAK）、高分辨X射线光电子能谱（HRXPS，采用韩国浦项光源PLS同步辐射装置8A1束线U7）。
4：实验流程与操作步骤：
TaSiN薄膜沉积、电阻率与厚度测量、SEM形貌观察、HRXPS化学态分析。
5：数据分析方法：
采用Doniach-Sunjic曲线与高斯分布卷积拟合Ta 4f和Si 2p芯能级谱。
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获取完整内容-
SEM
JSM 5900LV
JEOL
Observation of morphology
-
4-point probe
RT-80
Napson Co.
Measurement of resistivity
-
α–step profiler
DELTAK
Measurement of thickness
-
HRXPS
PHI 3057
Physical Electronic Co.
Determination of chemical states
-
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